Физики доказали возможность перемещения дефектов кристаллической решетки при низкой температуре.
Движения, нарушающие классические законы, зафиксировали во время облучения вольфрама потоком электронов. Темп диффузии, который был изменен, оказался выше, чем следует из закона Аррениуса. Учёные наблюдали за положением межузельных атомов, которые занимают промежуточное расположение сравнительно формирующих кристаллическую решетку при низких температурах. Активацию осуществили потоками электронов.
Полученные результаты могут пригодиться во время создания устройств, устойчивых к радиации, а также при разработке новых методов обработки материалов.
