Специалисты МФТИ, Сколтеха и Объединенного института высоких температур РАН провели эксперимент, направленный на определение влияния дефектов в графене на перенос электронов на границе фаз графен-растворов.
Известно, что электрохимические свойства графена очень зависимы от его химической структуры и электронных свойств, оказывающих существенное влияние на кинетику окислительно-восстановительных процессов. Недавно проведенные исследования помогли найти возможность ускорения переноса на структурных дефектах, таких как вакансии, графеновые края, примесные гетероатомы, кислородосодержащие функциональные группы. Российские ученые в границах нового эксперимента изучили кинетику переноса электрона на поверхности графена, содержащего дефекты.
Оказалось, что привнесение дефектов в идеальный графеновый лист способно приводить к росту плотности электронных состояний вблизи уровня ферми и катализировать перенос электрона.
