Компания Toshiba сообщила о старте своего нового продукта ST2000GXH32. Сообщается, что он будет оснащен обогащенным затвором IEGT. Оформлен девайс будет в обжимном корпусе с диаметром 168 мм.
Данную новинку характеризуют номинальным напряжением коллектора-эмиттера 4500 В, а также номинальным током коллектора с показателем 2000 А. Нужно отметить, что в конструкции будет присутствовать высокоскоростной диод, разработанный недавно. Он предназначен непосредственно для преобразования колебаний высокого напряжения.
Если сравнивать данный транзистор с предшественником, то можно заметить, что здесь можно использовать небольшой резистор в цепи управления затвором, а это уменьшает потери переключения примерно на 30%.
