Южнокорейская организация Samsung Electronics заявила о реализации одного миллиона чипов памяти DDR4 на кристаллах памяти, для изготовления которых применялись сканеры диапазона EUV. Данные модули рекомендуют устанавливать на серверы и компьютеры премиум-класса.
По традиции компания не разглашает точные принципы разработки чипов, известно лишь обозначение технологической операции – D1x. Сканеры EUV (длина волны 13.5 нм) умеренно задействованы в техпроцессе, целиком направить изготовление памяти поколения D1x на проекцию со сверхизлучением удастся только в 2021 году, данная память содержит обозначение D1a.
Samsung планирует в будущем году начать выпуск модулей памяти DDR5 и LPDDR5, которые будут полностью изготавливаться с применением EUV, согласно техпроцесса D1a.
