Южнокорейская фирма Samsung заявила о начале серийного изготовления первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит.
Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 вплоть до 19 нм) и предназначены для использования в графических картах, автомобилях и системах ИИ.
Чипы функционируют при напряжении 1,35 В, что обеспечивает на 30–35% меньшее потребление по сравнению с памятью GDDR5. Пропускная способность 18 Гбит/с на контакт позволяет передавать сведения со скоростью 72 ГБ/с — вдвое быстрее, нежели память GDDR5.
Ранее сообщалось, что на сайте Samsung замечен SSD-накопитель 860 Pro емкостью 4 Тбайта.
