Компания Samsung Electronics сделала заявление о том, что впервые разработала память HBM, которая будет иметь встроенные вычислительные блоки искусственного интеллекта. Благодаря этому производительность будет увеличена в два-три раза.
Источник сообщает, что помимо высокой производительности новый тип памяти будет работать на снижение энергопотребления практически на 70%. Разработчик объяснил, что HBM-PIM будет иметь совершенно новый подход к архитектуре системы вычисления.
Отмечается, что накопитель получился полностью программируемым, поэтому его можно использовать для машинного обучения и постановки логических выводов, на которых сейчас специализируется большое количество ПО.
