Производитель Hynix оказался одним из первых, который представил на рынке свои микросхемы, предназначенные для модулей оперативной памяти DDR5 с плотностью 24 Гбит. Удалось выяснить, что производиться они будут посредством 1anm.
Отмечается, что заявленный процесс является четвертым поколением 10-нанометрового техпроцесса. В нем предусмотрено применение EUV-литографии. Сообщают, что новинки модулей должны получиться наиболее эффективными.
Предположительно увеличение производительности будет соответствовать 33%, также энергопотребление будет меньше примерно на 25% в отличие от предшествующих устройств. Важно также отметить, что благодаря продуманной технологии можно разработать модули памяти с объемом 48 и 96 Гб.
