Стало известно, что южнокорейская компания Samsung уже приступила к серийному производству третьего поколения памяти 3D V-NAND вертикального строения. Благодаря новой технологии микросхем, ёмкость накопителя была увеличена до 256 Гбит, при этом площадь самого кристалла увеличилась незначительно.
Серия PM1725 PCIe NVMe теперь включает в себя две модели, первая будет ёмкостью 3,2 терабайта, а вторая 6,4. Устоявшаяся скорость чтения с накопителя составляет 5,5 гигабайт в секунду, а скорость записи в свою очередь 1,8 гигабайт в секунду.
Радует и высокая устойчивость к износу, в сутки допускается целых пять полных перезаписей памяти, так же при таком использовании предусмотрена 5-летняя гарантия.
Напомним, ранее портал vev.by сообщал о том, что Intel и Micron разработали SDD с 10 Tб памяти.
