Группа сибирских ученых работает над созданием супер флеш-памяти. Об этом рассказал руководитель проекта, сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко.
\"Обычная флеш-память выдерживает порядка 10 тыс. циклов \"запись-стирание\", потом она деградирует, а резистивная память, которую мы разрабатываем, позволит делать в миллион раз больше циклов: микросхемы будут более надежными\", - сказал он.
Помимо большой скорости и возможности хранить любые объемы данных, флеш-память использует в несколько раз меньше энергии, поэтому на девайсе будет работать в автономном режиме, что позволит сохранить его заряд.
Еще одной особенностью является способность наращивать объем хранения данных. Как именно это происходит, создатели умалчивают, однако утверждают, что это может увеличить объем в десять, а то и больше раз.
Когда новинка появится на российском рынке, пока еще не известно.
