Двухмерная NAND память уже морально устарела и близка к техническому закату, соответственно возникает вопрос о замене.
Представители компаний Intel и Micron рассказали о создании новейшем типе памяти, работающей на технологии 3D NAND.
Партнёры уже начали поставлять заказчикам тестовые образцы чипов объёмом 32 гигабайта. Среди преимуществ 3D NAND – высокая скорость работы, низкое энергопотребление и конечно же более низкая стоимость. Так же известно о разработке нескольких вариантов памяти на этой технологии: чип с многоуровневыми ячейками, в котором каждая ячейка хранит по 4 уровня заряда, чип с 2 битами объёмом 32 гигабайта и трёхбитный на 48 Гб.
Принцип 3D NAND заключается в наложении ячеек памяти друг на друга и образовании многослойной ячеистой структуры. Это значит, что теперь 2,5-дюймовые SDD будут объёмом 10 и более Терабайт памяти, в это же время более компактные накопители будут иметь объём до 3,5 Терабайт.
Новые SDD пользователи смогут увидеть к концу 2015 года.
